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标题
[高分] High-Performance AlGaN/GaN Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistor by Two-Step Gate Recess and Electroless-Plating Approaches
相关领域
跨导 材料科学 高电子迁移率晶体管 饱和电流 光电子学 阈值电压 扫描电子显微镜 晶体管 电压 电气工程 复合材料 工程类
网址
https://doi.org/10.1166/sam.2021.3823
DOI
10.1166/sam.2021.3823 doi
其它 期刊：Science of Advanced Materials
作者：Ching-Hong Chang; Yue-Chang Lin; Jing-Shiuan Niu; Wen‐Shiung Lour; Jung‐Hui Tsai; et al
出版日期：2021-01-01
求助人
CodeCraft 在 2025-10-12 20:34:51 发布自天津，悬赏 150 积分
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