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 Investigations on electrical parameters degradation and recovery of E-mode GaN high-electron mobility transistors under repetitive unclamped inductive switching stresses based on low-frequency noise 相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：X. B. Xu; B Li; Yiqiang Chen; Zhaohui Wu; Zhiyuan He; et al 出版日期：2020-12-03 |
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