A Method for Simultaneously Monitoring Gate Leakage Current and Threshold Voltage of SiC Power MOSFETs Under Repetitive Short-Circuit Stress

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标题	A Method for Simultaneously Monitoring Gate Leakage Current and Threshold Voltage of SiC Power MOSFETs Under Repetitive Short-Circuit Stress 相关领域材料科学泄漏（经济）光电子学 MOSFET 阈值电压电气工程栅极电压电压电子工程工程类晶体管宏观经济学经济
网址	https://doi.org/10.1109/tte.2025.3566542
DOI	10.1109/tte.2025.3566542 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Transportation Electrification 作者：Yiqiang Chen; W. F. Li; Z. J. Li; Bo Hou; Zhaohui Wu; et al 出版日期：2025-01-01
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