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  Investigations on In₀.₁₂Al₀.₈₈N/AlN/AlₓGa₁−ₓN/In₀.₁₂Al₀.₈₈N MOS-HFETs With Symmetrically-Graded Wide-Gap Channel and Drain Field-Plate Design 对称渐变宽隙沟道和漏极场板设计的In₀.₁₂Al₀.₈₈n MOS-HFET的研究
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材料科学
频道（广播）
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领域（数学）
铝
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期刊：IEEE Access 作者：Jian-Hong Ke; Ching-Sung Lee; Han-Yin Liu; Jung‐Hui Tsai; Wei‐Chou Hsu 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 |
WalterWhite
在
2025-08-05 03:25:46 发布，悬赏 10 积分
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