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标题
Estimation of hole mobility in hydrogen-terminated diamond MOSFET with high-k stacked gate dielectrics
具有高k堆叠栅介质的氢端接金刚石MOSFET中空穴迁移率的估计
相关领域
钻石 电介质 MOSFET 栅极电介质 材料科学 光电子学 晶体管 栅氧化层 散射 场效应晶体管 电子迁移率 高-κ电介质 半导体 电气工程 光学 复合材料 物理 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127010
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2022.127010 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Yao Li; Xi Wang; Hongbin Pu
出版日期：2022-11-24
求助人
rui 在 2025-08-05 00:35:39 发布，悬赏 10 积分
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