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标题
Study of p-type silicon MOS capacitors at HL-LHC radiation levels through irradiation with a cobalt-60 gamma source and a TCAD simulation
通过钴-60 γ源辐照和TCAD模拟研究HL-LHC辐射水平下的p型硅MOS电容器
相关领域
大型强子对撞机 辐射 辐射损伤 辐射硬化 物理 辐照 核物理学 中子 电容器 伽马射线 光子 光电子学 光学 电压 量子力学
网址
https://doi.org/10.1088/1748-0221/16/06/p06040
AI链接 arxiv.org arxiv.org datacite.orgdoi.org
DOI
10.1088/1748-0221/16/06/p06040 doi
其它 期刊：Journal of Instrumentation
作者：P. Asenov; P. Assiouras; A. Boziari; Konstantinos Filippou; I. Kazas; et al
出版日期：2021-06-01
求助人
JPL3729 在 2025-08-28 22:57:04 发布，悬赏 10 积分
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