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标题
Universality of trap-induced mobility fluctuations between 1/f noise and random telegraph noise in nanoscale FD-SOI MOSFETs
纳米级FD-SOI MOSFET中1/f噪声和随机电报噪声之间陷阱诱导迁移率波动的普遍性
相关领域
凝聚态物理 振幅 绝缘体上的硅 噪音（视频） MOSFET 物理 纳米尺度 库仑 次声 散射 闪烁噪声 材料科学 计算物理学 光电子学 统计物理学 硅 晶体管 量子力学 CMOS芯片 噪声系数 计算机科学 电压 电子 人工智能 图像（数学） 放大器
网址
https://doi.org/10.1063/5.0152734
AI链接 hal.science hal.science hal.sciencedoi.org
DOI
10.1063/5.0152734 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Owen Gauthier; S. Haendler; Quentin Rafhay; Christoforos Theodorou
出版日期：2023-06-05
求助人
诸葛小谷 在 2025-08-30 17:15:21 发布，悬赏 10 积分
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