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  Universality of trap-induced mobility fluctuations between 1/f noise and random telegraph noise in nanoscale FD-SOI MOSFETs 纳米级FD-SOI MOSFET中1/f噪声和随机电报噪声之间陷阱诱导迁移率波动的普遍性
相关领域
凝聚态物理
振幅
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Owen Gauthier; S. Haendler; Quentin Rafhay; Christoforos Theodorou 出版日期：2023-06-05 |
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