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 High-resistivity with PN interface passivation in 22 nm FD-SOI technology for low-loss passives at RF and millimeter-wave frequencies 22 nm FD-SOI技术中具有PN界面钝化的高电阻率，用于射频和毫米波频率下的低损耗无源器件
相关领域
材料科学
钝化
电阻率和电导率
光电子学
薄脆饼
绝缘体上的硅
共面波导
极高频率
基质（水族馆）
硅
兴奋剂
电气工程
微波食品加热
光学
纳米技术
物理
图层（电子）
海洋学
量子力学
地质学
工程类
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Lucas Nyssens; Martin Rack; Massinissa Nabet; C. Schwan; Zhixing Zhao; et al 出版日期：2023-04-22 |
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