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[高分]
 Investigating charge traps in MoTe2 field-effect transistors: SiO2 insulator traps and MoTe2 bulk traps 研究MoTe2场效应晶体管中的电荷陷阱：SiO2绝缘体陷阱和MoTe2体陷阱
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材料科学
电介质
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期刊：Nanotechnology 作者：Giheon Kim; Dang Xuan Dang; Hamza Zad Gul; Hyunjin Ji; Eun Kyu Kim; et al 出版日期：2023-10-07 |
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