Precise control of lattice strain in carbon-doped GaAs by indium co-doping for reliable AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

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标题	Precise control of lattice strain in carbon-doped GaAs by indium co-doping for reliable AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
网址	https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)91166-5
DOI	10.1016/0022-0248(94)91166-5 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Noriyuki Watanabe; Takumi Nittono; Hiroshi Ito 出版日期：1994
求助人	波波在 2026-04-27 15:54:32 发布自美国，悬赏 10 积分
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