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Atomic layer etching-enabled interface engineering for enhanced carrier transport in GaN trench MOSFETs 相关领域
沟槽
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等离子体
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氮气
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期刊:Applied Surface Science 作者:Maoqing Ling; Jingang Li; Zheyuan Hu; Zhenghao Chen; Ping Zhang; et al 出版日期:2025-11-01 |
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