Enhancement of On-Current and Reliability in InGaZnO Thin-Film Transistors for Synaptic Circuit Applications through Gate Insulator Stack Engineering

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标题	Enhancement of On-Current and Reliability in InGaZnO Thin-Film Transistors for Synaptic Circuit Applications through Gate Insulator Stack Engineering
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.5c13069
DOI	10.1021/acsami.5c13069 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Narae Han; Youngchae Roh; Ha-Jun Sung; Minseung Kang; Jongun Won; et al 出版日期：2025
求助人	金开在 2026-03-05 11:26:05 发布自山东，悬赏 10 积分
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