Study on the transport of phosphorus dopant during the n-type monocrystalline silicon growth by Czochralski technique

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标题	Study on the transport of phosphorus dopant during the n-type monocrystalline silicon growth by Czochralski technique
网址	https://doi.org/10.1016/J.JCRYSGRO.2026.128492
DOI	10.1016/J.JCRYSGRO.2026.128492 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Junling Ding; Haowen Yu; Zaoyang Li; Qiping Chen; Pengfei Wang; Lijun Liu 出版日期：2026
求助人	灼矾在 2026-03-04 15:00:55 发布自北京，悬赏 10 积分
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