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标题
Influence of Interface Traps and Cell Design on Dynamic VSD Behaviour in Double-Trench SiC MOSFETs
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DOI
10.1109/ISPSD64561.2026.11553937 doi
求助人
研友_yLpYkn 在 2026-08-24 15:11:38 发布自江苏,悬赏 10 积分
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