AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD

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标题	AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.219
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2006.10.219 doi
求助人	PP 在 2026-07-12 17:11:04 发布自湖北，悬赏 10 积分
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