| 标题 |
 Mitigating damage in GaN-based micro-LEDs by altering the sidewall crystal orientation via constructing hexagonal mesa structures 相关领域
梅萨
材料科学
光电子学
光学
六方晶系
折射率
衰减系数
电子束光刻
衍射
光学材料
制作
化学气相沉积
砷化镓
发光二极管
光散射
光强度
X射线晶体学
氮化镓
散射
反射率
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| DOI |
10.1364/OL.587823
doi
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