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Demonstration of AlGaN/GaN-based ultraviolet phototransistor with a record high responsivity over 3.6 × 107 A/W
相关领域
光探测 响应度 光电子学 材料科学 高电子迁移率晶体管 光电导性 光电二极管 紫外线 光电探测器 晶体管 物理 电压 量子力学
网址
DOI
10.1063/5.0055468 doi
其它 期刊:Applied Physics Letters
作者:Haochen Zhang; Fangzhou Liang; Kang‐Il Song; Chong Xing; Danhao Wang; et al
出版日期:2021-06-14
求助人
yongfeng 在 2026-06-18 15:50:31 发布自江西,悬赏 10 积分
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