Performance Improvement of Vertical Channel Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin-Film Transistors Using Porous MXene Electrode

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标题	Performance Improvement of Vertical Channel Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin-Film Transistors Using Porous MXene Electrode
网址	https://www.mdpi.com/1996-1073/18/9/2331/pdf
DOI	10.3390/en18092331 doi
其它	期刊：Energies 作者：Wanqiang Fu; Qizhen Chen; Peng Gao; Linqin Jiang; Yu Qiu; et al 出版日期：2025-05-02
求助人	狒狒在 2026-06-23 00:14:13 发布自福建，悬赏 10 积分
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