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Improved resistive switching performance and in-depth mechanism analysis in Mn-doped SrTiO3-based RRAM
Mn掺杂SrTiO3基RRAM电阻开关性能的改善及机理分析
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材料科学 电阻随机存取存储器 兴奋剂 记忆电阻器 光电子学 离子 Crystal（编程语言） 纳米技术 电子工程 计算机科学 电气工程 电压 量子力学 物理 工程类 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2023.105512
DOI
10.1016/j.mtcomm.2023.105512 doi
其它 期刊：Materials Today Communications
作者：Yusheng Yang; Bai Sun; Guangdong Zhou; Chuan Ke; Jie Zhang; et al
出版日期：2023-01-31
求助人
嘻嘻 在 2025-05-23 23:32:04 发布自河北，悬赏 10 积分
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