| 标题 |
[高分]
 Effects of post-deposition annealing in argon-oxygen-argon ambient on physical and electrical characteristics of thulium oxide passivation layer on silicon substrate 氩-氧-氩环境下沉积后退火对硅衬底氧化铥钝化层物理和电学特性的影响
相关领域
氩
钝化
材料科学
退火（玻璃）
硅
氧化物
图层（电子）
基质（水族馆）
光电子学
铥
氧气
氧化硅
纳米技术
冶金
化学
兴奋剂
氮化硅
海洋学
有机化学
地质学
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| 其它 |
期刊：International Journal of Nanotechnology 作者：Junchen Deng; Hock Jin Quah 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 |
yangbin
在
2025-05-31 10:46:05 发布，悬赏 200 积分
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