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标题
Decoupled Double-Channel p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT Featuring Low Reverse Conduction Loss and High Forward Threshold Voltage
具有低反向传导损耗和高正向阈值电压的去耦双沟道p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管 光电子学 材料科学 宽禁带半导体 氮化镓 阈值电压 电气工程 电压 热传导 逻辑门 低压 晶体管 工程类 纳米技术 图层（电子） 复合材料
网址
https://doi.org/10.1109/led.2024.3513322
DOI
10.1109/led.2024.3513322 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Xiaotian Tang; Zhongchen Ji; Qimeng Jiang; Sen Huang; Xinguo Gao; et al
出版日期：2024-01-01
求助人
hehe 在 2025-05-12 20:08:52 发布自广东，悬赏 10 积分
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