High-Throughput Screening of 2D Dielectric Layers for H-Terminated Diamond Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

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标题	High-Throughput Screening of 2D Dielectric Layers for H-Terminated Diamond Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors H端金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管二维介质层的高通量筛选
网址	https://doi.org/10.1063/1674-0068/cjcp2505058
DOI	10.1063/1674-0068/cjcp2505058 doi
其它	期刊：Chinese Journal of Chemical Physics 作者：出版日期：2025
求助人	madmax 在 2025-07-03 11:02:47 发布自河北，悬赏 10 积分
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