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标题
Study of Layout Dependent Radiation Hardness of FinFET SRAM using Full Domain 3D TCAD Simulation
基于全域三维TCAD模拟的FinFET SRAM版图相关辐射硬度研究
相关领域
NMOS逻辑 PMOS逻辑 静态随机存取存储器 辐射硬化 晶体管 MOSFET 辐射 电子工程 物理 计算机科学 光电子学 电气工程 材料科学 工程类 光学 电压
网址
https://doi.org/10.1109/s3s46989.2019.9320706
DOI
10.1109/s3s46989.2019.9320706 doi
其它 期刊：
作者：Khoa Huynh; Johan Saltin; Jin‐Woo Han; M. Meyyappan; Hiu Yung Wong
出版日期：2019-10-14
求助人
李沐唅 在 2025-06-19 12:43:15 发布自贵州，悬赏 10 积分
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