Reliable evaluation method for interface state density and effective channel mobility in lateral 4H-SiC MOSFETs

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标题	Reliable evaluation method for interface state density and effective channel mobility in lateral 4H-SiC MOSFETs 横向4H-SiC MOSFET界面态密度和有效沟道迁移率的可靠评估方法相关领域 MOSFET 碳化硅材料科学电子迁移率阈值电压光电子学晶体管硅分析化学（期刊）电压化学电气工程色谱法冶金工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac773c
DOI	10.1088/1361-6641/ac773c doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：A. Valletta; Fabrizio Roccaforte; Antonino La Magna; G. Fortunato; Patrick Fiorenza 出版日期：2022-06-09
求助人	KULI 在 2024-10-12 09:23:30 发布自天津，悬赏 10 积分
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