Impact of P-Well and JFET Region Doping on the Trade-off Between Breakdown Voltage and Specific On-Resistance in 1.2-kV 4H-SiC MOSFETs

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标题	Impact of P-Well and JFET Region Doping on the Trade-off Between Breakdown Voltage and Specific On-Resistance in 1.2-kV 4H-SiC MOSFETs
网址	http://dx.doi.org/10.1109/JESTPE.2022.3156782
DOI	10.1109/JESTPE.2022.3156782 doi
求助人	皮皮川在 2026-01-06 12:01:22 发布自四川，悬赏 10 积分
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