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High Density 360 /μm Aligned CNT FET with ION >1 mA/μm at -0.5 V VD and 30nm Lch 相关领域
材料科学
物理
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期刊: 作者:Xiangyu Wu; Marina Y. Timmermans; Lijun Liu; Fengben Xi; Himanshu Sharma; et al 出版日期:2024-09-09 |
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