High Density 360 /μm Aligned CNT FET with ION >1 mA/μm at -0.5 V VD and 30nm Lch
材料科学
物理
作者
Xiangyu Wu,Marina Y. Timmermans,Lijun Liu,Fengben Xi,Himanshu Sharma,Zaoyang Lin,Daire Cott,Luca Mana,Thomas Nuytten,Jean‐François de Marneffe,Han Han,Steven Brems,Ludovic Goux,César Javier Lockhart de la Rosa,Dennis Lin,Gouri Sankar Kar
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(2025-6-4)
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