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 Electronic structure study of ion-implanted Si quantum dots in a SiO2matrix: Analysis of quantum confinement theories SiO2基体中离子注入Si量子点的电子结构研究：量子限制理论分析
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期刊：Physical Review B 作者：E. G. Barbagiovanni; Lyudmila V. Goncharova; P. J. Simpson 出版日期：2011-01-13 |
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