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Surface-oxide-controlled InGaAs/InAlAs inverted-type metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors for sub-THz high-power amplifiers 相关领域
光电子学
材料科学
晶体管
氧化物
砷化铟镓
砷化镓
电气工程
工程类
电压
冶金
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Shiro Ozaki; Yusuke Kumazaki; Naoya Okamoto; Y. Nakasha; Naoki Hara; et al 出版日期:2022-12-28 |
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