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 A deep trench-type SiC MOSFET integrated with Schottky diode for enhanced oxide reliability and switching performances 集成肖特基二极管以提高氧化物可靠性和开关性能的深沟槽型SiC MOSFET
相关领域
肖特基二极管
材料科学
MOSFET
可靠性（半导体）
沟槽
碳化硅
光电子学
二极管
电子工程
电气工程
工程类
电压
晶体管
纳米技术
物理
复合材料
图层（电子）
功率（物理）
量子力学
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| 其它 |
期刊：Microelectronics Journal 作者：Liang Tian; Qing‐Chun Zhang 出版日期：2025-03-07 |
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