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Radical enhanced growth of GaN on Si with the buffer layer of GaN at a low temperature of 600 °C 600℃低温下具有GaN缓冲层的Si上GaN的自由基增强生长
相关领域
缓冲器(光纤)
图层(电子)
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材料科学
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Swathy Jayaprasad; Arun Kumar Dhasiyan; Naohiro Shimizu; Osamu Oda; H. Hori 出版日期:2025-02-05 |
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