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Quantum Transport Simulation and Logic Gate Application of n-Type Sub-10 nm Monolayer MoSi 2 N 4 MOSFETs †
网址
https://doi.org/10.1021/acsaelm.5c01786
DOI
10.1021/acsaelm.5c01786 doi
其它 期刊：ACS Applied Electronic Materials
作者：Jie Li; Shuo Wang; Xiang Li; Guozheng Nie; Zhenhua Wu; et al
出版日期：2025-11-26
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STP顶峰相见 在 2026-01-09 23:39:20 发布自北京，悬赏 10 积分
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