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 Characterization of Threshold Voltage Shift in SiC MOSFETs Under Nanosecond-Range Switching and Its Impact on High-Frequency Applications 纳秒范围开关下SiC MOSFET阈值电压偏移的表征及其对高频应用的影响
相关领域
材料科学
纳秒
光电子学
表征（材料科学）
阈值电压
MOSFET
航程（航空）
电压
电气工程
纳米技术
光学
工程类
晶体管
物理
复合材料
激光器
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Junsong Jiang; Xi Tang; Kun Tan; Zhihao Hu; Mohan Tian; et al 出版日期：2024-05-30 |
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