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 Application of deposited by ALD HfO2 and Al2O3 layers in double-gate dielectric stacks for non-volatile semiconductor memory (NVSM) devices ALD沉积HfO2和Al2O3层在非易失性半导体存储器件双栅介质堆叠中的应用
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期刊：Applied Surface Science 作者：Robert Mroczyński; Andrzej Taube; Sylwia Gierałtowska; E. Guziewicz; M. Godlewski 出版日期：2012-02-09 |
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