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 Analysis of Interface Scattering in AlGaN/GaN/InGaN/GaN Double-Heterojunction High-Electron-Mobility Transistors AlGaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的界面散射分析
相关领域
异质结
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
散射
凝聚态物理
电子
声子
氮化镓
声子散射
电场
晶体管
宽禁带半导体
图层（电子）
物理
光学
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量子力学
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Lin Wang; Weida Hu; Xiaohong Chen; Wei Lü 出版日期：2012-05-30 |
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