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  Prototype measurement results in a 65 nm technology and TCAD simulations towards more radiation tolerant monolithic pixel sensors 原型测量导致65 nm技术和TCAD模拟，以实现更耐辐射的单片像素传感器
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期刊：Journal of Instrumentation 作者：C. Lemoine; G. Aglieri Rinella; J. Baudot; Giulio Borghello; F. Carnesecchi; et al 出版日期：2024-02-01 |
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Chao
在
2025-08-30 20:25:19 发布，悬赏 10 积分
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