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 Electrical performance improvement of charge plasma-based junctionless TFET using novel coalescence of SiGe/GaAs and heterogeneous gate dielectric 利用SiGe/GaAs和异质栅介质的新型聚结改善基于电荷等离子体的无结TFET的电学性能
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期刊：Applied Physics A 作者：Kaushal Kumar; Ajay Kumar; S. C. Sharma 出版日期：2022-12-11 |
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慕青
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