| 标题 |
 High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs with Threshold Voltage of 7.1 V 阈值电压为7.1 V的高击穿电压P-GaN栅极HEMT
相关领域
光电子学
材料科学
击穿电压
阈值电压
电压
电气工程
宽禁带半导体
氮化镓
电击穿
逻辑门
晶体管
工程类
纳米技术
电介质
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Siheng Chen; Peng Cui; Xin Luo; Liu Wang; Jiacheng Dai; et al 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
科研助手6
cdercder
昏睡的蟠桃
发财暴富财富自由没我快吧嘻嘻嘻
bc
iNk
SYLH
lin
科研小民工
平常的毛豆
淡然的熊猫
椰子在长江送礼物
甜甜玫瑰
back you up
ZhouYW
VDC
kingwill
HEIKU
nozero
pluto
皖公网安备34019202002308
