Interface Trap Density Reduction for Al 2 O 3 /GaN (0001) Interfaces by Oxidizing Surface Preparation prior to Atomic Layer Deposition

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标题	Interface Trap Density Reduction for Al 2 O 3 /GaN (0001) Interfaces by Oxidizing Surface Preparation prior to Atomic Layer Deposition
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsami.5b01600
DOI	10.1021/acsami.5b01600 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Dmitry M. Zhernokletov; Muhammad A. Negara; Rathnait D. Long; Shaul Aloni; Dennis Nordlund; et al 出版日期：2015-06-02
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