| 标题 |
Edge facet dynamics during the growth of heavily doped n-type silicon by the Czochralski-method |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Crystal Growth 作者:L. Stockmeier; Christian Kranert; G. Raming; Alfred Miller; C. Reimann; et al 出版日期:2018-03-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)