Study on high temperature model based on the n-Channel planar 4H-SiC MOSFET

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标题	Study on high temperature model based on the n-Channel planar 4H-SiC MOSFET
网址	https://doi.org/10.1108/cw-12-2020-0351
DOI	10.1108/cw-12-2020-0351 doi
其它	期刊：Circuit World 作者：Zhenyu Tang; Xiao-Yan Tang; Shi Pu; Yimeng Zhang; Hang Zhang; et al 出版日期：2021-06-10
求助人	h6 在 2026-08-21 00:54:13 发布自福建，悬赏 10 积分
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