Epitaxial growth and characterization of thick multi-layer 4H-SiC for very high-voltage insulated gate bipolar transistors

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标题	Epitaxial growth and characterization of thick multi-layer 4H-SiC for very high-voltage insulated gate bipolar transistors
网址	https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/1.49294...
DOI	10.1063/1.4929456 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：T. Miyazawa; K. Nakayama; A. Tanaka; K. Asano; S. Ji; et al 出版日期：2015-08-25
求助人	路人甲路人乙在 2026-09-02 08:31:32 发布自北京，悬赏 10 积分
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