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 PLAD (Plasma Doping) for p-type Deep Trench Doping in Power Device Applications 功率器件应用中p型深沟槽掺杂的PLAD（等离子体掺杂）
相关领域
材料科学
兴奋剂
CMOS芯片
MOSFET
制作
光电子学
半导体器件制造
图像传感器
GSM演进的增强数据速率
掺杂剂
沟槽
纳米技术
电气工程
电压
计算机科学
晶体管
工程类
薄脆饼
人工智能
医学
替代医学
图层（电子）
病理
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期刊：International Conference on Ion Implantation Technology 作者：Deven Raj; Gordy Grivna; Gary H. Loechelt; Qi Gao 出版日期：2018-09-01 |
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