Electronic Structure of Spinel-Type Nitride Compounds Si 3 N 4 , Ge 3 N 4 , and Sn 3 N 4 with Tunable Band Gaps: Application to Light Emitting Diodes

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标题	Electronic Structure of Spinel-Type Nitride Compounds Si 3 N 4 , Ge 3 N 4 , and Sn 3 N 4 with Tunable Band Gaps: Application to Light Emitting Diodes
网址	http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.111.097402
DOI	10.1103/physrevlett.111.097402 doi
其它	期刊：Physical Review Letters 作者：T. D. Boyko; A. Hunt; A. Zerr; A. Moewes 出版日期：2013-08-30
求助人	小梦阳在 2026-10-24 23:11:35 发布自四川，悬赏 10 积分
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