| 标题 |
 Impact of Interface and Dielectric Defects on HKMG MOSFETs Down to Cryogenic Temperatures 相关领域
材料科学
电介质
光电子学
接口（物质）
MOSFET
电子工程
低温
逻辑门
栅极电介质
电击穿
高-κ电介质
凝聚态物理
硅
电气工程
工程物理
砷化镓
温度测量
介电损耗
介电强度
介电常数
场效应晶体管
|
| 备注 |
需正式版，非预印版
💡 该求助存在备注，如果存在信息冲突，请以备注为准
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：R. Asanovski; J. Franco; E. Catapano; A. Grill; K. de Greve 出版日期：2026-11-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人或该文件上传人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
null
无极微光
吃葡萄不吐葡萄皮
Criminology34
学霸业
GingerF
Gp1983
Elsevier大王
My_magnum_opus
sanvva
Chinno
MchemG
v0id
deli
华无剑
李小白
Nole
lx
麦咕咕
EeeeW
皖公网安备34019202002308
