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 Plasma damage mechanisms for low-k porous SiOCH films due to radiation, radicals, and ions in the plasma etching process 等离子体刻蚀过程中辐射、自由基和离子对低k多孔SiOCH薄膜的等离子体损伤机制
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Saburo Uchida; Seigo Takashima; Masaru Hori; Masanaga Fukasawa; Keiji Ohshima; et al 出版日期：2008-04-08 |
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