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 $\hbox{MoS}_{2}$ Dual-Gate MOSFET With Atomic-Layer-Deposited $\hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ as Top-Gate Dielectric $\hbox{MoS}_{2}$双栅MOSFET，以原子层沉积的$\hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$作为顶栅电介质
相关领域
MOSFET
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Han Liu; P. D. Ye 出版日期：2012-04-01 |
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