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 The thermo-E.M.F. of an n-type silicon: assessment of the contribution due to the presence of minority carriers 热电动势。n型硅：由于少数载流子的存在而产生的贡献的评估
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：André Siewe Kamegni; Igor Lashkevych 出版日期：2023-02-03 |
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