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标题
Impact of Trap States at Deep Trench Sidewalls on the Responsivity of Island Photodiodes
深沟侧壁陷阱态对孤岛光电二极管响应性的影响
相关领域
响应度 光电二极管 光电子学 材料科学 光电探测器 沟槽 钝化 浅沟隔离 光学 物理 纳米技术 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3315225
AI链接 ieee.orgdoi.org
DOI
10.1109/ted.2023.3315225 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Paul Stampfer; Frederic Roger; Tibor Grasser; Michael Waltl
出版日期：2023-09-25
求助人
Lannon 在 2025-08-29 17:45:00 发布，悬赏 10 积分
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