| 标题 |
Avalanche Capability Improvement by Ion Implantation-induced Defects Control for Trench Power MOSFET 离子注入缺陷控制提高沟槽功率MOSFET雪崩性能
相关领域
功率MOSFET
沟槽
MOSFET
离子注入
功率半导体器件
材料科学
光电子学
电气工程
功率(物理)
离子
工程物理
工程类
晶体管
电压
物理
纳米技术
图层(电子)
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊: 作者:Katsumi Rikimaru; Seiya Sakakura; Tatsuya Shiraishi; Takuya Yasutake; Hiroyuki Kishimoto; et al 出版日期:2024-12-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|