| 标题 |
 Avalanche Capability Improvement by Ion Implantation-induced Defects Control for Trench Power MOSFET 离子注入缺陷控制提高沟槽功率MOSFET雪崩性能
相关领域
功率MOSFET
沟槽
MOSFET
离子注入
功率半导体器件
材料科学
光电子学
电气工程
功率（物理）
离子
工程物理
工程类
晶体管
电压
物理
纳米技术
图层（电子）
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Katsumi Rikimaru; Seiya Sakakura; Tatsuya Shiraishi; Takuya Yasutake; Hiroyuki Kishimoto; et al 出版日期：2024-12-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
DW
无极微光
Nole
学术文献互助
铁锤牛马版
秋风
xing_xing
aaaa
然宝
didiwang
v0id
我能私信骂你吗
狂野紫丝
Kao
Dean
OK
sagitar
水煮电吹风
aajhajkahna
皖公网安备34019202002308
