Avalanche Capability Improvement by Ion Implantation-induced Defects Control for Trench Power MOSFET

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标题	Avalanche Capability Improvement by Ion Implantation-induced Defects Control for Trench Power MOSFET 离子注入缺陷控制提高沟槽功率MOSFET雪崩性能相关领域功率MOSFET 沟槽 MOSFET 离子注入功率半导体器件材料科学光电子学电气工程功率（物理）离子工程物理工程类晶体管电压物理纳米技术图层（电子）量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/issm64832.2024.10874961
DOI	10.1109/issm64832.2024.10874961 doi
其它	期刊：作者：Katsumi Rikimaru; Seiya Sakakura; Tatsuya Shiraishi; Takuya Yasutake; Hiroyuki Kishimoto; et al 出版日期：2024-12-09
求助人	李庆在 2025-08-24 09:54:53 发布自上海，悬赏 10 积分
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